金属靶材
高纯度金属 | Al, Co, Cu, Fe, Mg, Mn, Sn |
高熔点金属合金 | Cr,Mo,Nb,Ta,Ti,V,W系列的合金 |
非磁性合金 | Al, Bi, Cu, Mg, Sn, Zn系列的合金/ Bi2Te3, Mg2Si |
磁性合金 | Co, Fe, Ni系列的合金/ Co-Fe-B, Co-Pt, Fe-Pt |
赫斯勒合金 | Co, Fe, Ni基赫斯勒合金 |
Mn系列的合金 | Mn-Al, Mn-Bi, Mn-Ga, Mn-Ir, Mn-Si |
合金 | Au,Ag,Pt,Pd系列的合金 |
无机化合物靶材
氧化物 | Al2O3,MgO,SiO2,TiO2,ZnO,La2O3,ITO,PZT,STO,LiCoO2,Li4Ti5O12,Li3PO4 |
碳化物 | SiC,B4C,WC |
其他化合物 | 氮化物,氟化物,磷化物,化物,化物 |
复合靶材
金属相 | Co-Cr-Pt, Fe, Fe-Ni, Fe-Pt等各种**属・合金 |
非金属相 | Al2O3, MgO, SiO2等各种氧化物・氮化物 |
标准尺寸一览
圆球形 | 直径 | φ50.8、φ76.2、φ101.6、φ127、φ152.4、φ203.2、 φ254、φ304.8、φ355.6、φ406.4、φ508、φ533.4 |
矩形 | 平面尺寸 | 127×304.8、127×381、127×508、127×558.8、152.4×508 |
厚度 | t3、t5、t6.35 |
MgO是下一代HDD介质的模板层,TMR磁头以及磁性存储器(如MRAM)中不可缺少的功能性材料。
早在2002年,我们就开始开发和生产适合TMR元件的溅射靶,并一直提供具有“高纯度”、“高密度”和“低颗粒”特征的MgO靶材。
MgO靶材・镜面研磨品
基于我们多年来在溅射靶及其键合方面所取得的技术,我们能够制造出满足任何要求的背板。我们的背板(接合靶材所使用的背板)可根据客户的用途,对以无氧铜为首的各种铜合金,铁,不锈钢,铝,铝合金,钼以及钛进行严格的筛选。此外,我们还将万全地处理上述材料的组合,并考虑到客户使用上的便利性,提出建议进行改善。